
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Lexar 8GB DDR4 PC4-21300 LD4AU008G-H2666GN
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
68 руб. 69 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Блок питания Qdion QD700 85+
700 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 48 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
149 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
185 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
388 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
60 руб. 19 коп.
Блок питания Vicsone VP-450 450W
450 Вт, вентилятор: 80 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: 1, CPU 8 pin: нет, SATA: 2, IDE 4 pin: 2..
67 руб. 19 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
90 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
95 руб. 39 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
109 руб. 99 коп.
Корпус Vicsone 6835
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, видеокарта до 350..
112 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
114 руб. 99 коп.
Корпус Vicsone SG-W1 500W
Mini Tower, блок питания 500 Вт, для плат micro-ATX/mini-ITX, 0 вентиляторов, 1xUSB 2.0, 1xUSB 3.0, ..
120 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
123 руб. 99 коп.
Корпус Vicsone F3X 500W
Mid Tower, блок питания 500 Вт, для плат ATX/micro-ATX, 2xUSB 2.0, цвет корпуса черный..
124 руб. 99 коп.
Блок питания Qdion QD-450PNR 80+
450 Вт, активная PFC, 12 V 28 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
126 руб. 99 коп.
Блок питания Vicsone VP-500s
500 Вт, пассивная PFC, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 pin: 2, SATA: 3, ID..
131 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
137 руб. 99 коп.
Блок питания Qdion QD-500PNR 80+
500 Вт, 12 V 32 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 p..
140 руб. 99 коп.
Блок питания Qdion QD600
600 Вт, активная PFC, 12 V 39 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
147 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
147 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
148 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
157 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
182 руб. 99 коп.