Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Patriot 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400 (PSD22G8002S)
модуль памяти DDR2 SO-DIMM, объем 2 Гб, частота 800 МГц, напряжение питания 1.8 В..
54 руб. 89 коп.
Оперативная память Patriot Signature 2GB DDR2 PC2-6400 (PSD22G80026)
модуль памяти DDR2 DIMM, объем 2 Гб, частота 800 МГц, напряжение питания 1.8 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
158 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingston 16GB DDR4 PC4-23400 KSM29RD8/16MEI
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
175 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
519 руб. 99 коп.
Оперативная память Foxline 32GB DDR4 PC4-23400 FL2933D4U21-32G
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
703 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingston FURY Renegade 2x8ГБ DDR4 5333 МГц KF453C20RB2K2/16
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 5333 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30, напряжение 1.6 В..
873 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVFBY
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
1 042 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
1 265 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBY
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
2 049 руб. 99 коп.











