Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Hynix 8ГБ DDR5 5600 МГц HMCG66AGBSA095N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
85 руб. 89 коп.
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..
41 руб. 59 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 SP004GBSFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
52 руб. 69 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21330 SP004GBSFU266N02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 89 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
54 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 19 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
70 руб. 69 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц SP008GBSFU320X02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
73 руб. 79 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 [SP008GBLFU266B02]
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
76 руб. 89 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
79 руб. 39 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266X02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
89 руб. 29 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
92 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power Xpower Zenith 8ГБ DDR4 3600МГц SP008GXLZU360BSC
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В..
93 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
98 руб. 59 коп.
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine RGB 8GB DDR4 PC4-28800 SP008GXLZU360BSB
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В..
101 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine 8GB DDR4 PC4-28800 SP008GXLZU360BSA
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В..
102 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power Xpower Zenith RGB 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GXLZU320BSD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В..
102 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP008GBSVU480G02
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
108 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
114 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP008GBSVU480G02RR
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
118 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
124 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
125 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
129 руб. 99 коп.