Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
50 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
50 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-17000 [CMK16GX4M2A2133C13]
2 модуля, частота 2133 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15-28, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
38 руб. 79 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
53 руб. 39 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
55 руб. 49 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
61 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
93 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
93 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
101 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
134 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
145 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-25600 [CMK16GX4M2E3200C16]
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В..
167 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-28800 CMK16GX4M2D3600C18
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
187 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц GR5600S564L46S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
195 руб. 99 коп.
Оперативная память Acer UD100 16ГБ DDR4 3200 МГц BL.9BWWA.228
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
200 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
209 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц GR4800S564L40S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
233 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16GB DDR3 PC3-12800 W-MEM1600R3D416GLV
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
251 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x16ГБ DDR4 3200 МГц CMK32GX4M2E3200C16
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 ..
284 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
298 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x16ГБ DDR4 3600 МГц CMK32GX4M2D3600C18
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 ..
301 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
305 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
309 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
315 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
318 руб. 99 коп.