Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Micron 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц MTC4C10163S1SC48BA1
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
Оперативная память Micron 8GB DDR4 PC4-21300 MTA8ATF1G64AZ-2G6H1
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
62 руб. 69 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
39 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
57 руб. 9 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
62 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
93 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
100 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
138 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
143 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
164 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
182 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2J3
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
182 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц GR5600S564L46S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
197 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
198 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
205 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
215 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
235 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц GR4800S564L40S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
236 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
249 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16GB DDR3 PC3-12800 W-MEM1600R3D416GLV
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
251 руб. 99 коп.