Оперативная память Micron 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц MTC4C10163S1SC48BA1
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
Оперативная память Micron 8GB DDR4 PC4-21300 MTA8ATF1G64AZ-2G6H1
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
62 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
39 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
57 руб. 9 коп.
Оперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-21300 [N26DDR401]
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
131 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
182 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2J3
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
182 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц GR5600S564L46S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
197 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц GR4800S564L40S/16G
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
236 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 16GB DDR3 PC3-12800 W-MEM1600R3D416GLV
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
251 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PDZ-3G2
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
321 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-25600 MTA36ASF4G72PZ-3G2R1
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
325 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF4G72PZ-3G2
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
403 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
449 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-21300 MTA36ASF4G72PZ-2G6
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
462 руб. 99 коп.
Оперативная память Lenovo 16GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08708
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
539 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 64GB DDR4 PC4-25600 MTA36ASF8G72PZ-3G2B2
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
669 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 64ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF8G72PZ-3G2
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
669 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 64ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF8G72PZ-3G2F1
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
680 руб. 99 коп.
Оперативная память Lenovo 32ГБ DDR4 3200 МГц 4X77A08633
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
698 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-23400 MTA36ASF4G72PZ-2G9
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
1 241 руб. 99 коп.
Оперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]
1 модуль, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В..
1 529 руб. 99 коп.
Оперативная память Lenovo 64GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08710
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
2 215 руб. 99 коп.