Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
554 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
646 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
735 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
737 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
778 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
847 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 091 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
2 964 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2G43MX3-CTD
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
389 руб. 99 коп.
SSD Indilinx S325S 128GB IND-S325S128GX
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с..
98 руб. 59 коп.
Корпус Project X Arapaho
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, без вентиляторов в комплекте, окно: закален..
100 руб. 99 коп.
SSD Indilinx S325S 240GB IND-S325S240GX
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0..
151 руб. 99 коп.
Корпус Project X Viper
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
155 руб. 99 коп.
Блок питания Project X PF750D-X
750 Вт, активная PFC, КПД 87 %, 12 V 54 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
157 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц IND-ID4N32SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
164 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
167 руб. 99 коп.
Корпус Project X Maverick
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, с контрол..
169 руб. 99 коп.
Корпус Project X Siberia
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
182 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
193 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
194 руб. 99 коп.
SSD Indilinx 4XN80S 256GB IND-4XN80S256GX
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)..
197 руб. 99 коп.
Корпус Project X Uno
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: за..
199 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
224 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
260 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
265 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц IND-ID4N32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
301 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
309 руб. 99 коп.










![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC] Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]](https://fk.by/uploads/images/cache/2018/06/04/operativnaya-pamyat-samsung-8gb-ddr4-sodimm-pc4-19200-m471a1k43cb1-crc-200x200.jpeg)


















