
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Блок питания Fractal Design Ion+ 2 Platinum 760W FD-P-IA2P-760
760 Вт, активная PFC, 12 V 63.3 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 140 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 ..
482 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Transcend JetRam 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 JM3200HSE-16G
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
126 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
227 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900..
614 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
56 руб. 79 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
70 руб. 69 коп.
SSD Transcend MTS820 120GB TS120GMTS820S
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 5000..
73 руб. 19 коп.
Блок питания FSP Qdion QD400 400W
400 Вт, пассивная PFC, 12 V 15 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: ..
93 руб. 69 коп.
Блок питания FSP Qdion QD450 450W
450 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
104 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Qdion QD500 500W
500 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
115 руб. 99 коп.
SSD Transcend SSD230S 128GB [TS128GSSD230S]
2.5", SATA 3.0, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/300 MBps, случайный доступ: 30000/..
119 руб. 99 коп.
SSD Transcend MTS420S 240GB TS240GMTS420S
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 6500..
119 руб. 99 коп.
SSD Transcend SSD225S 250GB TS250GSSD225S
250 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный ..
121 руб. 99 коп.
SSD Transcend 110S 256GB TS256GMTE110S
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/800 MBps, ..
121 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Q-Dion QD550
550 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: д..
124 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
132 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
138 руб. 99 коп.
SSD Transcend 115S 250GB TS250GMTE115S
250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1300 МБайт/с, случайн..
139 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Блок питания FSP QD550 80+ 550W
550 Вт, активная PFC, 12 V 18 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
142 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
145 руб. 99 коп.