![Комплектующие Patriot, Team, ZOTAC, Samsung, GOODRAM, GeIL Комплектующие Patriot, Team, ZOTAC, Samsung, GOODRAM, GeIL](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
SSD Patriot Burst Elite 240GB PBE240GS25SSDR
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный ..
67 руб. 59 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память GeIL Orion 16ГБ DDR4 3600 МГц GOG416GB3600C18BSC
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
122 руб. 99 коп.
Оперативная память Patriot Viper Steel 2x8GB DDR4 PC4-28800 PVS416G360C8K
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
160 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Patriot P210 1TB P210S1TB25
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный ..
179 руб. 99 коп.
SSD Patriot P200 1TB P200S1TB25
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ..
205 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
216 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
241 руб. 99 коп.
Оперативная память Patriot Viper 4 Blackout 2x8GB DDR4 PC4-35200 PVB416G440C8K
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 18T, тайминги 18-26-26-46, напряжение 1.45 В..
334 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCED532G6000HC38ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 ..
388 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCED532G6000HC30DC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.35 ..
421 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
424 руб. 99 коп.
Оперативная память Patriot Viper Venom 2x16ГБ DDR5 7200МГц PVV532G720C34K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.45 ..
439 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
627 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Force Vulcan 2x32ГБ DDR5 6400 МГц FLBD564G6400HC34BDC01
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.35 ..
843 руб. 99 коп.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [PSD34G160081S]
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..
38 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
39 руб. 89 коп.
Оперативная память Patriot 4GB DDR3 PC3-12800 (PSD34G16002)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4 Гб, частота 1600 МГц, напряжение питания 1.6 В..
45 руб. 49 коп.
Оперативная память Patriot 4GB DDR3 PC3-12800 [PSD34G1600L81]
частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В..
49 руб. 69 коп.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 PC4-21300 PSD44G266681
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
49 руб. 69 коп.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [PSD34G16002S]
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..
50 руб. 79 коп.
Оперативная память Team Elite 4 ГБ DDR4 3200 МГц TED44G3200C2201
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
52 руб. 19 коп.