Уточнить поиск
263 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
351 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
366 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
366 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
641 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3EB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
673 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
732 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
773 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
820 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
841 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 084 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
1 235 руб. 99 коп.
Оперативная память GeIL 32ГБ DDR5 4800 МГц GGUA5R32GB4800C40CD
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.2 В..
2 036 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4 PC4-25600 CMK16GX4M1E3200C16
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В..
402 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
726 руб. 99 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance 16ГБ DDR5 6000 МГц CMK5X16G2B60Z36A2-CN
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В..
760 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
191 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
197 руб. 99 коп.
Материнская плата iRU A520M-VHDi/M.2
mATX, чипсет AMD A520, память 2xDDR4 до 3200 МГц, слоты: 1xPCIe x16 3.0, 1xPCIe x1, 1xM.2 ..
213 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
215 руб. 99 коп.
Блок питания Corsair CX550 CP-9020277-EU
550 Вт, активная PFC, КПД 88 %, 12 V 44 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CP..
261 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
275 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
301 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44AB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
321 руб. 99 коп.
Блок питания Corsair CX650 CP-9020278-EU
650 Вт, активная PFC, КПД 88 %, 12 V 52 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CP..
324 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 6400 МГц M435R1GB4PB1-CCP
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В..
332 руб. 99 коп.













![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC] Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]](https://fk.by/uploads/images/cache/2018/06/04/operativnaya-pamyat-samsung-8gb-ddr4-sodimm-pc4-19200-m471a1k43cb1-crc-200x200.jpeg)















