
Уточнить поиск
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
213 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 32ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP32X
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
217 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z RGB 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C16D-16GTZRC
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В..
221 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 32GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-32GVK
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
222 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GTZB
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
231 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
233 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Flare X 2x16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-32GFX
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
236 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z RGB 2x16GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C18D-32GTZR
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
249 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
254 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x16GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C16D-32GVKC
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В..
263 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
287 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 250GB MZ-V8P250BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовател..
288 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
289 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
291 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц F5-4800S4039A32GX1-RS
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39-76, напряжение 1.1 В..
291 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 512GB MZVL2512HCJQ-00B00
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
302 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x16ГБ DDR5 5200 МГц F5-5200J4040A16GX2-RS5K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В..
304 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
307 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
307 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z RGB 2x16GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C16D-32GTZRC
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В..
308 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A4G43AB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
317 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x16ГБ DDR5 5600 МГц F5-5600J4645A16GX2-RS5W
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-89, напряжение 1.1 В..
318 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x16ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J4645A16GX2-RS5K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-89, напряжение 1.1 В..
318 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
318 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 500GB MZ-V7S500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовате..
318 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM893 240GB MZ7L3240HCHQ-00A07
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 980..
319 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
319 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 5 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3636F16GX2-IS
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 ..
321 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Flare X5 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3648D16GX2-FX5
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-96, напряжение 1.25 ..
342 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3648D16GX2-RS5K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-96, напряжение 1.25 ..
342 руб. 99 коп.