
Уточнить поиск
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x48ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239F48GX2-RS5K
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35..
1 154 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Value 4GB DDR4 PC4-19200 F4-2400C15S-4GNT
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В..
50 руб. 89 коп.
Оперативная память Digma 8ГБ DDR4 2666 МГц DGMAD42666008D
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
58 руб. 79 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
60 руб. 9 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-8GISB
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
63 руб. 9 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-8GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
64 руб. 69 коп.
Оперативная память G.Skill Value 8GB DDR4 PC4-21300 F4-2666C19S-8GNT
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
64 руб. 69 коп.
SSD Digma Mega S3 256GB DGSM3256GS33T
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, послед..
78 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
93 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
98 руб. 39 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-16GISB
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
103 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
105 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GIS
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16D-16GISB
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GVK
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
110 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
113 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
117 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Flare X 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GFX
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
119 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
123 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C18D-16GVK
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
123 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
124 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 [F4-3200C16D-16GVKB]
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
126 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GVGB
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
126 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C19D-16GVRB
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В..
126 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C16D-16GVKC
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В..
145 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-32000 F4-4000C18D-16GVK
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
155 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z 2x8ГБ DDR4 3200 МГц F4-3200C16D-16GTZSK
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
157 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GTZSW
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
157 руб. 99 коп.