Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
374 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
563 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
656 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
747 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
791 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
861 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 109 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Neo 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3038F16GX2-TZ5N
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 ..
1 859 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
3 014 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x32ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239G32GX2-RS5K
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 ..
3 599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.
SSD PNY CS900 480GB SSD7CS900-480-PB
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с..
221 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
332 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0L
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
349 руб. 99 коп.
Корпус Project X Osprey
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: закале..
135 руб. 99 коп.
Корпус Project X Crystal
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, с 3 вентиляторами в комплекте, с контроллер..
148 руб. 99 коп.
Корпус Project X Diamond
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, с 3 вентиляторами в комплекте, с контроллер..
151 руб. 99 коп.
Корпус Project X Dynamic
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, с 3 вентиляторами в комплекте, с контроллер..
151 руб. 99 коп.
Корпус Project X Arapaho
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, без вентиляторов в комплекте, окно: закален..
154 руб. 99 коп.
Блок питания Project X PF750D-X
750 Вт, активная PFC, КПД 87 %, 12 V 54 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
159 руб. 99 коп.
Корпус Hiper BH34-1
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, без вентиляторов в комплекте, окно: зака..
164 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
169 руб. 99 коп.
Корпус Project X Maverick
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, с контрол..
172 руб. 99 коп.
Корпус Project X Siberia
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
185 руб. 99 коп.
Корпус Project X Uno
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: за..
202 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
232 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
234 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-8GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
244 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-8GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
246 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
269 руб. 99 коп.











![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC] Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]](https://fk.by/uploads/images/cache/2018/06/04/operativnaya-pamyat-samsung-8gb-ddr4-sodimm-pc4-19200-m471a1k43cb1-crc-200x200.jpeg)


















