
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Hynix 8ГБ DDR5 5600 МГц HMCG66AGBSA095N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..
84 руб. 49 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
85 руб. 89 коп.
Блок питания Qdion QD700 85+
700 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 48 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
149 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
204 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
321 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900..
620 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..
41 руб. 59 коп.
Кулер для процессора Eurocase 3P90 ARGB
рассеивание до 90 Вт, макс. шум 26.5 дБ, вентилятор 92 мм, 1800 об/мин, ARGB подсветка..
53 руб. 39 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
56 руб. 79 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
70 руб. 69 коп.
Блок питания Hiper HP-300TFX
300 Вт, пассивная PFC, КПД 85 %, 12 V 20 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 80 мм, ATX: 20 + 4 pin..
92 руб. 39 коп.
Блок питания Hiper HPA-500
500 Вт, активная PFC, 12 V 41 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
95 руб. 49 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
96 руб. 79 коп.
Кулер для процессора Eurocase 5PI120 ARGB
рассеивание до 190 Вт, высота 157 мм, макс. шум 36 дБ, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипни..
98 руб. 29 коп.
Кулер для процессора Eurocase 6PI120 ARGB
рассеивание до 200 Вт, высота 157 мм, макс. шум 36 дБ, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипни..
111 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPB-550
550 Вт, активная PFC, 12 V 45 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
113 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPP-500
500 Вт, активная PFC, 12 V 40 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
116 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
116 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPA-600
600 Вт, активная PFC, 12 V 53 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
116 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPB-650
650 Вт, активная PFC, 12 V 52 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
127 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
133 руб. 99 коп.
Блок питания Qdion QD-500PNR 80+
500 Вт, 12 V 32 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 p..
135 руб. 99 коп.