
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
53 руб. 49 коп.
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
204 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
321 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900..
620 руб. 99 коп.
Видеокарта EVGA GeForce RTX 3070 FTW3 Ultra Gaming 8GB GDDR6 08G-P5-3767-KR
NVIDIA GeForce RTX 3070, макс. частота 1815 МГц, 5888sp, частота памяти 14000 МГц, 256 бит, доп. пит..
1 519 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
35 руб. 39 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
48 руб. 69 коп.
SSD SunWind ST3 SWSSD128GS2T 128GB
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с..
49 руб. 29 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
50 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
56 руб. 79 коп.
SSD SunWind NV3 SWSSD256GN3T 256GB
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 1800/1000 МБайт/с..
70 руб. 9 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
70 руб. 69 коп.
SSD SunWind ST3 SWSSD256GS2T 256GB
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/420 МБайт/с..
72 руб. 59 коп.
SSD GOODRAM PX500 256GB SSDPR-PX500-256-80
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, по..
75 руб. 39 коп.
SSD SunWind ST3 SWSSD512GS2T 512GB
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с..
106 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
116 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
138 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
144 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
153 руб. 99 коп.