
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
202 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
299 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
331 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
738 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Force Vulcan 2x32ГБ DDR5 6400 МГц FLBD564G6400HC34BDC01
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.35 ..
843 руб. 99 коп.
Оперативная память Team Elite 8GB DDR4 PC4-25600 TED48G3200C2201
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
52 руб. 19 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
56 руб. 39 коп.
Оперативная память Team Elite 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 TED48G3200C22-S01
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
59 руб. 59 коп.
SSD Team GX1 240GB T253X1240G0C101
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/400 MBps..
63 руб. 69 коп.
Оперативная память Team Vulcan Z 8ГБ DDR4 3200МГц TLZGD48G3200HC16F01
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В..
64 руб. 39 коп.
65 руб. 69 коп.
SSD Team MS30 256GB TM8PS7256G0C101
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/400 MBps..
65 руб. 99 коп.
SSD Team MP33 256GB TM8FP6256G0C101
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/10..
74 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
90 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
92 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
98 руб. 89 коп.
Оперативная память Team Elite 16GB DDR4 PC4-25600 TED416G3200C2201
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
99 руб. 19 коп.
Оперативная память Team Elite SODIMM 8ГБ DDR5 5600 МГц TED58G5600C46A-S016
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
102 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Force Vulcan Z 16ГБ DDR4 3200 МГц TLZGD416G3200HC16F01
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Team Elite 8ГБ DDR5 5600 МГц TED58G5600C4601
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В..
104 руб. 99 коп.
SSD Team GX1 480GB T253X1480G0C101
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps..
104 руб. 99 коп.
SSD Team CX1 480GB T253X5480G0C101
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/470 MBps..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Team Elite 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 TED416G3200C22-S01
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert OC10L 2x8ГБ DDR4 3200МГц TTCED416G3200HC16FDC01
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В..
111 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
113 руб. 99 коп.