
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
47 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Материнская плата BIOSTAR B450MHP Ver. 6.3
mATX, сокет AMD AM4, чипсет AMD B450, память 2xDDR4 до 3200 МГц, слоты: 1xPCIe x16 3.0, 2xPCIe x1, V..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, ..
295 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMWH
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
25 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
25 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB1-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
25 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB2-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
28 руб. 49 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB4-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
30 руб. 9 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB1-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
30 руб. 9 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB4-PWMWH
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
30 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
50 руб. 29 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
53 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
90 руб. 29 коп.
SSD BIOSTAR S160 256GB S160-256GB
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 МБайт/с..
90 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
105 руб. 99 коп.
Жесткий диск HP 450GB [BF450DAJZR]
3.5", Fibre Channel (4Gbps), 15000 об/мин..
107 руб. 99 коп.
SSD HP EX900 Plus 256GB 35M32AA
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/13..
117 руб. 99 коп.
Видеокарта BIOSTAR GeForce G210 1GB DDR3 VN2103NHG6
NVIDIA GeForce 210 1 ГБ DDR3, базовая частота 450 МГц, макс. частота 1333 МГц, частота памяти 1040 М..
118 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
121 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
125 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
128 руб. 99 коп.
SSD HP S650 480GB 345M9AA
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/490 MBps, случайный доступ: 820..
131 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
140 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
145 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
168 руб. 99 коп.
Блок питания GMNG GG-PS700W-V2
700 Вт, активная PFC, КПД 80 %, 12 V 58 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
168 руб. 99 коп.