Комплектующие Micro-Star, Samsung, Hynix, GOODRAM

Уточнить поиск

Сравнение товаров (0)


ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
194286
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N

Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

52 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
182899
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

52 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
187426
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU

SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..

599 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
130042
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)

Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..

41 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
55802
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]

Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..

55 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
42038
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]

SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]

2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..

55 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
189118
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G

Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..

58 руб. 29 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
162904
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N

SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N

M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..

84 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
180325
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN

Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..

85 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
197859
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..

136 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
190589
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N

Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

159 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
171521
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

178 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157807
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..

308 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
105405
Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9

Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В..

39 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
1722
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)

Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)

модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..

39 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
4360
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)

Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)

модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..

46 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
102061
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G

Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..

54 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
100922
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G

Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..

56 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
178263
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G

Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..

64 руб. 39 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
133942
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [W-MEM2133R4S48G]

Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [W-MEM2133R4S48G]

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T..

75 руб. 29 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
145363
SSD GOODRAM CL100 Gen. 3 120GB SSDPR-CL100-120-G3

SSD GOODRAM CL100 Gen. 3 120GB SSDPR-CL100-120-G3

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/..

82 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
134851
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]

Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..

99 руб. 9 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
166644
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..

100 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157127
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

104 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
199143
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..

109 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
140383
SSD GOODRAM PX500 256GB SSDPR-PX500-256-80

SSD GOODRAM PX500 256GB SSDPR-PX500-256-80

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, по..

124 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
189561
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..

147 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
179360
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL

Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

150 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
83684
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250

SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250

M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..

157 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
169920
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

168 руб. 99 коп.

Показаны с 1 по 30 из 158 (6 страниц)