
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
53 руб. 49 коп.
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
64 руб. 79 коп.
Жесткий диск Seagate Constellation ES 1TB (ST31000524NS)
3.5", SATA 2.0 (3Gbps), 7200 об/мин, буфер 32 МБ, время доступа 8.5 мс..
119 руб. 99 коп.
SSD Silicon-Power A55 512GB SP512GBSS3A55M28
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps..
146 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Pipeline HD 1TB (ST1000VM002)
3.5", SATA 2.0 (3Gbps), 5900 об/мин, буфер 64 МБ, линейная скорость 159/159 МБ/с, время доступа 8.5 ..
161 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Barracuda 7200.14 1TB (ST1000DM003)
HDD, 3.5", 1 Тб (буфер 64 Мб), SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин..
163 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate BarraCuda 1TB [ST1000DM010]
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 64 МБ..
186 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Barracuda 2TB ST2000DM005
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 256 МБ..
202 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Pipeline HD 2TB (ST2000VM003)
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5900 об/мин, буфер 64 МБ, линейная скорость 159/159 МБ/с, время доступа 8.5 ..
209 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Barracuda 7200.14 2000GB (ST2000DM001)
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 64 МБ, линейная скорость 156/156 МБ/с, время доступа 8.5 ..
223 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
227 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Barracuda 1TB ST1000DM014
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ, технология SMR..
273 руб. 99 коп.
Жесткий диск Seagate Barracuda 4TB [ST4000DM004]
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 256 МБ, линейная скорость 190/190 МБ/с, время доступа 15 ..
300 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
309 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
473 руб. 99 коп.
SSD Samsung 9100 Pro 1TB MZ-VAP1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, посл..
595 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW
2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900..
620 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
35 руб. 39 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
48 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
50 руб. 59 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 SP004GBSFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
53 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
54 руб. 89 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21330 SP004GBSFU266N02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 19 коп.