Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
374 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
656 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
743 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
747 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
791 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
861 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 109 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Neo 2x16ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3038F16GX2-TZ5N
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 ..
1 859 руб. 99 коп.
Оперативная память GeIL 32ГБ DDR5 4800 МГц GGUA5R32GB4800C40CD
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.2 В..
2 084 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
3 014 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws S5 2x32ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239G32GX2-RS5K
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 ..
3 599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
332 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0L
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
349 руб. 99 коп.
SSD Samsung 9100 Pro 2TB MZ-VAP2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, посл..
1 458 руб. 99 коп.
Корпус Segotep Gank 360 (черный)
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, окно: акрил, видеокарта до 390 мм, ..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
200 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
232 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
234 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-8GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
244 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-8GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
246 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
269 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
290 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
315 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
432 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Flare X 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GFX
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
437 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
448 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GVK
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
455 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-16GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
466 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GVGB
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
466 руб. 99 коп.












![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC] Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]](https://fk.by/uploads/images/cache/2018/06/04/operativnaya-pamyat-samsung-8gb-ddr4-sodimm-pc4-19200-m471a1k43cb1-crc-200x200.jpeg)

















