
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Блок питания Lian Li SP850 G89.SP850B.01EU
850 Вт, активная PFC, КПД 93.5 %, 12 V 70 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 92 мм, ATX: 20 + 4 pi..
491 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 3200МГц SP016GBLFU320B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
190 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
218 руб. 99 коп.
Корпус Lian Li A3-mATX TG (черный)
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, окно: закаленное стекло, видеокарта до 415 ..
256 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
327 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
412 руб. 99 коп.
Корпус Lian Li O11 Dynamic PC-O11DX G99.O11DX.00
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, окно: закаленное стекло, видеокарта..
458 руб. 99 коп.
Корпус Lian Li O11 Dynamic EVO RGB G99.O11DERGBX.00
аквариум/Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, окно: закаленное стекло, в..
530 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
633 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 PC4-21300 QUM4U-8G2666P19
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
51 руб. 39 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 120GB Q3DT-120GMCY
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS1102A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ:..
52 руб. 59 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 120GB Q3DT-120GSCY
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ..
52 руб. 59 коп.
SSD Silicon-Power Slim S55 120GB (SP120GBSS3S55S25)
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3108, микросхемы NAND MLC, 556/475 МБ/с, 78000 IOps..
54 руб. 19 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 SP004GBLFU240X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 79 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
54 руб. 79 коп.
Оперативная память QUMO QUM4U-8G2933P21
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
55 руб. 9 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 [SP008GBLFU266B02]
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
59 руб. 79 коп.
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 QUM4S-8G2666P19
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
59 руб. 79 коп.
SSD Silicon-Power Ace A55 128GB SP128GBSS3A55S25
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/420 MBps..
61 руб. 9 коп.
SSD Silicon-Power Ace A56 128GB SP128GBSS3A56B25
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps..
64 руб. 19 коп.
SSD QUMO Novation 3D 240GB Q3DT-240GAEN
2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 ..
64 руб. 49 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
64 руб. 49 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц SP008GBSFU320X02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine 8GB DDR4 PC4-25600 SP008GXLZU320BSA
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-25600 SP008GBLFU320X02
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
64 руб. 79 коп.