![Комплектующие Procase, Team, Samsung, Silicon-Power, Dahua, Innovation IT Комплектующие Procase, Team, Samsung, Silicon-Power, Dahua, Innovation IT](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Dahua 240GB DHI-SSD-C800AS240G
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 520..
58 руб. 79 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 3200МГц SP016GBLFU320B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
106 руб. 99 коп.
Оперативная память Innovation IT 16GB DDR4 PC4-25600 16G32002GS
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В..
129 руб. 99 коп.
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP016GBSVU480F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
167 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
202 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
216 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
242 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
345 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCWD532G6000HC38GDC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-46-46-76, напряжение 1.25 ..
373 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCED532G6000HC38ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 ..
388 руб. 99 коп.
SSD Team MP33 PRO 2TB TM8FPD002T0C101
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный ..
395 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCED532G6000HC30DC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-76, напряжение 1.35 ..
421 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
424 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Force Delta RGB 2x16GB DDR5 6000 МГц FF3D532G6000HC38ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38-78, напряжение 1.25 ..
439 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
453 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
621 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
701 руб. 99 коп.
Оперативная память Team T-Force Vulcan 2x32ГБ DDR5 6400 МГц FLBD564G6400HC34BDC01
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.35 ..
843 руб. 99 коп.
Оперативная память Dahua 4ГБ DDR4 2666 МГц DHI-DDR-C300U4G26
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
48 руб. 69 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 SP004GBSFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
52 руб. 19 коп.
Оперативная память Team Elite 4 ГБ DDR4 3200 МГц TED44G3200C2201
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
52 руб. 19 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 SP004GBLFU240X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 SP004GBSFU240X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
52 руб. 89 коп.
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
54 руб. 59 коп.