![Комплектующие Xilence, R-Senda, Samsung, Huawei Комплектующие Xilence, R-Senda, Samsung, Huawei](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
424 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
453 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
701 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Xilence XF051 [XPF140.R.PWM]
вентилятор для корпуса, шум 30 дБ, вентилятор 140 мм, 700 об/мин, PWM..
33 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Xilence XF082 XPF120X.B.PWM
высота 25 мм, макс. шум 22 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
44 руб. 49 коп.
Кулер для процессора Xilence A250PWM
кулер для процессора, воздушное охлаждение, рассеивание до 95 Вт, шум 32 дБ, вентилятор 92 мм, скоро..
44 руб. 89 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
62 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
93 руб. 19 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
96 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
106 руб. 99 коп.
Блок питания Xilence Redwing R7 500W [XP500R7/XN052]
500 Вт, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 pin: 1, SATA: 4, IDE 4 pin: 2, VGA..
117 руб. 99 коп.
Блок питания Xilence Redwing R7 600W [XP600R7/XN053]
600 Вт, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 pin: 1, SATA: 6, IDE 4 pin: 2, VGA..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
138 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
142 руб. 99 коп.
Кулер для процессора Xilence A200 [XC033]
кулер для процессора, воздушное охлаждение, алюминий, шум 25 дБ, вентилятор 92 мм, скорость 2800 об/..
143 руб. 99 коп.
Блок питания Xilence Redwing R7 XP700R7 [XN054]
700 Вт, 12 V 54 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: да, CPU 8 p..
157 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
158 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
162 руб. 99 коп.
Кулер для процессора Xilence XC081 M906
рассеивание до 250 Вт, высота 129 мм, макс. шум 30.8 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшип..
164 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
173 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9B1 256GB MZVL4256HBJD-00B07
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3300/1250 МБайт/с, случайный доступ: ..
193 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
197 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
198 руб. 99 коп.