Уточнить поиск
265 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
320 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
646 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3EB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
678 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
737 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
778 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
825 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
847 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 091 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
914 руб. 99 коп.
Видеокарта GALAX GeForce RTX 3070 METALTOP OC 8GB GDDR6
8 ГБ GDDR6, 1500 МГц / 1740 МГц, 5888sp, 46 RT-ядер, трассировка лучей, 256 бит, 3 слота, питание 8 ..
1 313 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMWH
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
22 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
22 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB2-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
26 руб. 59 коп.
Блок питания CWT GPT 400W
400 Вт, активная PFC, КПД 82 %, 12 V 30 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
88 руб. 49 коп.
Система жидкостного охлаждения для процессора GMNG GG-LC120ARGB1-BK
типоразмер 120, рассеивание до 180 Вт, высота 27 мм, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипник ..
146 руб. 99 коп.
Система жидкостного охлаждения для процессора GMNG GG-LC240ARGB1-WH
типоразмер 240, рассеивание до 260 Вт, высота 27 мм, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипник ..
186 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
226 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
261 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
262 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
280 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
366 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM893 240GB MZ7L3240HCHQ-00A07
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 980..
419 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 512GB MZVL2512HCJQ-00B00
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
427 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 250GB MZ-V8P250BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовател..
446 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
488 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
502 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
525 руб. 99 коп.





























