Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
365 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
387 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
678 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
768 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
772 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 146 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
3 115 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0L
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
360 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 QVO 1TB MZ-77Q1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
794 руб. 99 коп.
Видеокарта Gainward GeForce RTX 3070 Phoenix 8GB GDDR6 NE63070019P2-1041X
NVIDIA GeForce RTX 3070 8 ГБ GDDR6 LHR, базовая частота 1500 МГц, макс. частота 1725 МГц, 5888sp, ча..
1 311 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
20 руб. 49 коп.
Корпус HAFF 2819-U3 (без БП)
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, видеокарта до 320 мм, охлаждение ЦП до 140 ..
82 руб. 19 коп.
Корпус HAFF Dwarf
Mid Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, окно: закаленное стекло, видеокарта до 355 м..
146 руб. 99 коп.
Корпус HAFF Bind
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: закаленное..
153 руб. 99 коп.
Корпус HAFF Glory Mini (белый)
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: закаленное..
161 руб. 99 коп.
SSD GOODRAM CX400 128GB SSDPR-CX400-128
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/..
181 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
196 руб. 99 коп.
Корпус HAFF Glory Mini (черный)
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: закаленное..
199 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
221 руб. 99 коп.
Корпус HAFF Phantom
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, окно: зак..
224 руб. 99 коп.
Корпус HAFF S601-U3 450W
вертикальный настольный, блок питания 450 Вт, для плат micro-ATX/mini-ITX, 1 вентилятор, 2xUSB 2.0, ..
231 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
278 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
324 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
328 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 6400 МГц M333R1GB4PB1-CCPSG
8 ГБ, 1 модуль DDR5 CUDIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В..
424 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
463 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
485 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
523 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
538 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
577 руб. 99 коп.






























