
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
212 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 4TB MZ-V9P4T0BW
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
1 140 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Raijintek Ageras 12 ARGB-1 0R40B00256
высота 25 мм, макс. шум 33 дБ, вентилятор 120 мм, 2200 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
35 руб. 39 коп.
Вентилятор для корпуса Raijintek Ageras 12 ARGB-1 0R40B00259
высота 25 мм, макс. шум 33 дБ, вентилятор 120 мм, 2200 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
37 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 89 коп.
Блок питания BVK PC450
450 Вт, нет PFC, 12 V 34 А, кол-во линий 12 V: 1..
62 руб. 89 коп.
Кулер для процессора Raijintek Themis II 0R10B00220
кулер для процессора, алюминий, рассеивание до 175 Вт, шум 22 дБ, вентилятор 120 мм, 1600 об/мин, PW..
63 руб. 49 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
68 руб. 9 коп.
Блок питания BVK PC500
500 Вт, нет PFC, 12 V 36 А, кол-во линий 12 V: 1..
79 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
103 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
122 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
122 руб. 99 коп.
Кулер для процессора Raijintek Pallas 120
высота 68 мм, макс. шум 28.43 дБ, вентилятор 120 мм, 1400 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (..
128 руб. 99 коп.
Корпус Raijintek Arcadia III ST
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, видеокарта до ..
130 руб. 99 коп.
Корпус Raijintek Arcadia III
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, окно: закаленн..
130 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
130 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
132 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
132 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Корпус Raijintek Arcadia III V2
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, окно: закаленн..
146 руб. 99 коп.
Корпус Raijintek Arcadia III ST V2
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, в комплекте 1 вентилятор, видеокарта до ..
146 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
150 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2K43DB1-CTDD0
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
154 руб. 99 коп.