![Комплектующие Qdion, Samsung, Solidigm, HyperX, GOODRAM Комплектующие Qdion, Samsung, Solidigm, HyperX, GOODRAM](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
SSD Solidigm 512 GB SSDPFINW512GZL
512 ГБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 4125/3325 МБайт/с..
121 руб. 99 коп.
Оперативная память HyperX Fury 2x8GB DDR4 PC4-24000 HX430C15FB3K2/16
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В..
147 руб. 99 коп.
Блок питания Qdion QD700 85+
700 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 48 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
149 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
202 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
216 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
242 руб. 99 коп.
Оперативная память HyperX Fury RGB 32GB DDR4 PC4-24000 HX430C16FB3A/32
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В..
319 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
345 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
424 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
453 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
621 руб. 99 коп.
Оперативная память HyperX Fury RGB 2x32GB DDR4 PC4-27700 HX434C17FB3AK2/64
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В..
646 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
701 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
39 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
57 руб. 9 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
62 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
93 руб. 79 коп.
SSD GOODRAM CX400 gen.2 256GB SSDPR-CX400-256-G2
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/480 MBps, случайный доступ: 650..
95 руб. 19 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
97 руб. 99 коп.
SSD GOODRAM PX500 256GB SSDPR-PX500-256-80
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, по..
103 руб. 99 коп.