![Комплектующие Neo Forza, Samsung, Innovation IT, GOODRAM Комплектующие Neo Forza, Samsung, Innovation IT, GOODRAM](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 8GB DDR4 PC4-17000 [GR2133D464L15S/8G]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В..
55 руб. 69 коп.
SSD GOODRAM CX200 120GB [SSDPR-CX200-120]
2.5", SATA 6Gbps, контроллер Phison PS3110, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/500 MB..
55 руб. 69 коп.
Оперативная память GOODRAM Iridium 8GB DDR4 PC4-17000 IR-2133D464L15S/8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
58 руб. 29 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Innovation IT 16GB DDR4 PC4-25600 16G32002GS
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В..
129 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
214 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
345 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
390 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
424 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
453 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
708 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 Гб, частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24, напряжение питания 1.5 В..
39 руб. 89 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 GR2666S464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
54 руб. 99 коп.
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR4 PC4-21300 GR2666D464L19S/4G
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
57 руб. 9 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
62 руб. 29 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
93 руб. 19 коп.
SSD GOODRAM CX400 gen.2 256GB SSDPR-CX400-256-G2
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/480 MBps, случайный доступ: 650..
94 руб. 49 коп.
Оперативная память Neo Forza 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 NMSO480E82-2666EA10
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
99 руб. 39 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
100 руб. 99 коп.
SSD GOODRAM PX500 256GB SSDPR-PX500-256-80
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, по..
102 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
142 руб. 99 коп.
SSD GOODRAM CX400 gen.2 512GB SSDPR-CX400-512-G2
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 755..
156 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
158 руб. 99 коп.