
Уточнить поиск
Процессор Intel Celeron G1840
Haswell, 2 ядра, частота 2.8 ГГц, кэш 512 КБ + 2 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150, TDP 53W..
36 руб. 99 коп.
Кулер для процессора Intel Original CU PWM (S1155/1156)
для процессора, воздушное охлаждение, PWM..
37 руб. 29 коп.
Процессор Intel Pentium G4400
Skylake, 2 ядра, частота 3.3 ГГц + 3 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 54W..
38 руб. 79 коп.
Процессор Intel Celeron G3930
Kaby Lake, 2 ядра, частота 2.9 ГГц + 2 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 51W..
40 руб. 89 коп.
Кулер для процессора Intel Laminar RS1
кулер для процессора, алюминий, рассеивание до 65 Вт, шум 36 дБ, вентилятор 90 мм, 3150 об/мин, PWM..
41 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 89 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
71 руб. 99 коп.
Корпус Winard 3075 RGB
Mid Tower, блок питания отсутствует, для плат ATX/micro-ATX, 0 вентиляторов, 2xUSB 2.0, цвет корпуса..
81 руб. 19 коп.
Процессор Intel Xeon E5-2680 V4
Broadwell, LGA2011-3, 14 ядер, частота 3.3/2.4 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 120W..
89 руб. 39 коп.
Процессор Intel E5-2620V3
Haswell, 6 ядер, частота 2.4 ГГц + 15 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W..
96 руб. 99 коп.
Процессор Intel Pentium Gold G5500
Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.8 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 54W..
100 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
104 руб. 99 коп.
Процессор Intel Xeon E5-2609V2
Ivy Bridge-EP, LGA2011, 4 ядра, частота 2.5 ГГц, кэш 1 Мб + 10 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 80W..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
112 руб. 99 коп.
Корпус Winard 5822
Mini Tower, блок питания отсутствует, для плат micro-ATX, 0 вентиляторов, 2xUSB 2.0, цвет черный/сер..
116 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
120 руб. 99 коп.
Корпус Winard 5822 450W
Mini Tower, блок питания 450 Вт, для плат micro-ATX, 0 вентиляторов, 2xUSB 2.0, цвет черный/серебрис..
122 руб. 99 коп.
Корпус Winard 5822 Black 450W
Mini Tower, блок питания 450 Вт, для плат micro-ATX, 2xUSB 2.0, цвет черный..
122 руб. 99 коп.
Процессор Intel Celeron G5905
Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 2 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W..
122 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
132 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Корпус Winard 1570 300W
Mini Tower, блок питания 300 Вт, для плат micro-ATX/mini-DTX/mini-ITX, 2xUSB 2.0, цвет черный..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
146 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
147 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2K43DB1-CTDD0
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
154 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
159 руб. 99 коп.