
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..
84 руб. 49 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
85 руб. 89 коп.
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Блок питания Chieftec Proton BDF-600S
600 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 50 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CP..
212 руб. 99 коп.
Блок питания Chieftec CPS-650S
650 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 48 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CP..
217 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
219 руб. 99 коп.
Блок питания Chieftec Vita BPX-850-S
850 Вт, активная PFC, 12 V 70.8 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 ..
256 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
308 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
412 руб. 99 коп.
Блок питания Chieftec Proton BDF-1000C
1 000 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 83 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 140 мм, ATX: 20 + 4 p..
421 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
633 руб. 99 коп.
Видеокарта Peladn GTX 1660 Super 6GB GDDR6
6 ГБ GDDR6, 1530 МГц, 1408sp, 192 бит, 2 слота, питание 8 pin, HDMI, DisplayPort, DVI..
779 руб. 99 коп.
Видеокарта Peladn GeForce GTX 1660 Ti 6GB GDDR6
6 ГБ GDDR6, 1500 МГц / 1770 МГц, 1536sp, 192 бит, 2 слота, питание 8 pin, HDMI, DisplayPort, DVI..
815 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Chieftec AF-1225S
вентилятор для корпуса, шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1650 об/мин..
33 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса Chieftec AF-1225PWM
вентилятор для корпуса, шум 25.5 дБ, вентилятор 120 мм, 1650 об/мин, PWM..
39 руб. 19 коп.
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..
41 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
63 руб. 59 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
64 руб. 79 коп.
Оперативная память Hynix 8ГБ DDR5 5600 МГц HMCG66AGBSA095N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
86 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
91 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
99 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
102 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
117 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
121 руб. 99 коп.