Уточнить поиск
263 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
351 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
366 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
366 руб. 99 коп.
Жесткий диск Toshiba L200 1TB HDWL110UZSVA
2.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ..
380 руб. 99 коп.
Жесткий диск Toshiba S300 2TB HDWT720UZSVA
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ, время доступа 5.6 мс..
410 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
641 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3EB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
673 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
732 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
773 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
820 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
841 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 084 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
1 235 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.
Жесткий диск Toshiba DT01ACA 2TB (DT01ACA200)
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 64 МБ..
522 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
726 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Raskat RH120D PWM
высота 25 мм, макс. шум 23 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
108 руб. 99 коп.
Корпус PowerCool S1007BK
Mini Tower, блок питания отсутствует, для плат ATX, 0 вентиляторов, 2xUSB 2.0, цвет черный..
120 руб. 99 коп.
Блок питания Raskat RPS-BN700
700 Вт, активная PFC, 12 V 54 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
158 руб. 99 коп.
Блок питания Raskat RPS-BS750
750 Вт, активная PFC, 12 V 62.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 ..
187 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
191 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
197 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
215 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
275 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Блок питания Raskat RPS-GF850 V5
850 Вт, активная PFC, 12 V 70.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 ..
288 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
301 руб. 99 коп.














![Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC] Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A1K43CB1-CRC]](https://fk.by/uploads/images/cache/2018/06/04/operativnaya-pamyat-samsung-8gb-ddr4-sodimm-pc4-19200-m471a1k43cb1-crc-200x200.jpeg)














