
Уточнить поиск
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц IND-ID5N48SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
151 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
165 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2J3
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
172 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
172 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
186 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
186 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9B1 256GB MZVL4256HBJD-00B07
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3300/1250 МБайт/с, случайный доступ: ..
191 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
191 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
191 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
204 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 256GB MZVL2256HCHQ-00B00
256 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
208 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
211 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
221 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
232 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K40DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
240 руб. 99 коп.
SSD Micron 7450 Pro M.2 2280 480GB MTFDKBA480TFR
480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 50..
283 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 250GB MZ-V8P250BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовател..
290 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
293 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
296 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
297 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PDZ-3G2
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
303 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
306 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF4G72PZ-3G2
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
309 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
311 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32GB DDR4 PC4-25600 MTA36ASF4G72PZ-3G2R1
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
311 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A4G43AB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
311 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 500GB MZ-V7S500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовате..
313 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 512GB MZVL2512HCJQ-00B00
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
314 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM893 240GB MZ7L3240HCHQ-00A07
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 980..
323 руб. 99 коп.