
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Блок питания Lian Li SP850 G89.SP850B.01EU
850 Вт, активная PFC, КПД 93.5 %, 12 V 70 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 92 мм, ATX: 20 + 4 pi..
478 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Hynix 8ГБ DDR5 5600 МГц HMCG66AGBSA095N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
63 руб. 79 коп.
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..
84 руб. 49 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
85 руб. 89 коп.
Вентилятор для корпуса Lian Li Uni Fan TL LCD 120 G99.12TLLCD1W.R0
высота 28 мм, макс. шум 27 дБ, вентилятор 120 мм, 1900 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
214 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
332 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
389 руб. 99 коп.
Корпус Lian Li O11 Dynamic PC-O11DX G99.O11DX.00
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, окно: закаленное стекло, видеокарта..
458 руб. 99 коп.
Жидкостное охлаждение для процессора Lian Li Galahad II Trinity 360 G89.GA2T36B.R0
типоразмер 360, высота 27 мм, макс. шум 35.4 дБ, вентилятор 120 мм, 2450 об/мин, PWM, подшипник гидр..
466 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo 2TB MZ-V9E2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, ..
522 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
574 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 4TB MZ-V9P4T0BW
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
1 140 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса Redragon GC-F010
высота 25 мм, вентилятор 120 мм, прямое направление потока, 1200 об/мин, подшипник гидродинамический..
30 руб. 89 коп.
Вентилятор для корпуса Redragon GC-F013
высота 25 мм, вентилятор 120 мм, прямое направление потока, 2200 об/мин, PWM, ARGB подсветка, макс. ..
39 руб. 69 коп.
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..
40 руб. 89 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 120GB Q3DT-120GSCY
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ..
46 руб. 69 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 120GB Q3DT-120GMCY
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS1102A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ:..
51 руб. 59 коп.
Оперативная память QUMO 4GB DDR4 PC4-21300 QUM4U-4G2666C19
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
51 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 89 коп.
Оперативная память QUMO QUM4U-8G2933P21
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
56 руб. 49 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
58 руб. 89 коп.
Оперативная память QUMO 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400 (QUM2S-2G800T6)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В..
61 руб. 69 коп.
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 PC4-21300 QUM4U-8G2666P19
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
61 руб. 69 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
62 руб. 59 коп.