
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO QUM4S-16G3200P22
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO 16GB DDR4 SODIMM PC4-21300 QUM4S-16G2666P19
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO QUM4U-16G3200N22
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
109 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
112 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
113 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 512GB Q3DT-512GSCY
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательны..
114 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 512GB Q3DT-512GAEN-M2
M.2, SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 M..
114 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation 3D TLC 512GB Q3DT-480GAEN
2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 ..
121 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation TLC 3D 480GB Q3DT-480GAEN-M2
M.2, SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 M..
121 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation 3D 480GB Q3DT-480GAEN
2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 ..
123 руб. 99 коп.
SSD QUMO Novation M2 NVMe 512GB Q3DT-512GSKF-NM2
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND,..
124 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO QUM4U-16G3200P22
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
128 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
147 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
148 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2K43DB1-CTDD0
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
154 руб. 99 коп.
Оперативная память QUMO 16ГБ DDR5 4800 МГц QUM5U-16G4800N40
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.2 В..
157 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
159 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
168 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
177 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
179 руб. 99 коп.
Оперативная память Acer UD100 16ГБ DDR4 3200 МГц BL.9BWWA.228
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
180 руб. 99 коп.