
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
46 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..
84 руб. 49 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
85 руб. 89 коп.
Вентилятор для корпуса Noctua NF-A15 HS PWM Chromax
вентилятор для корпуса, шум 24.6 дБ, вентилятор 140 мм, PWM..
120 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
220 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
306 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, ..
311 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
412 руб. 99 коп.
Видеокарта Gainward GeForce RTX 3070 Phoenix 8GB GDDR6 NE63070019P2-1041X
NVIDIA GeForce RTX 3070 8 ГБ GDDR6 LHR, базовая частота 1500 МГц, макс. частота 1725 МГц, 5888sp, ча..
1 803 руб. 99 коп.
Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В..
35 руб. 69 коп.
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..
41 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
54 руб. 79 коп.
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..
65 руб. 19 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
90 руб. 79 коп.
Блок питания Hiper HPP-450
450 Вт, активная PFC, 12 V 36 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
97 руб. 9 коп.
Блок питания Hiper HPP-500
500 Вт, активная PFC, 12 V 40 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
98 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
98 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
102 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPA-500
500 Вт, активная PFC, 12 V 41 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
105 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPP-600
600 Вт, активная PFC, 12 V 49 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
112 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
117 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPA-600
600 Вт, активная PFC, 12 V 53 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
118 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
123 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPB-550
550 Вт, активная PFC, 12 V 45 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
125 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
137 руб. 99 коп.
Блок питания Hiper HPB-650
650 Вт, активная PFC, 12 V 52 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pi..
138 руб. 99 коп.