
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
125 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-16GISB
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
125 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
128 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
138 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
141 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 F4-3200C22S-16GRS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В..
144 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
147 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GIS
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
150 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GVK
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
154 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
157 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
158 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 [F4-3200C16D-16GVKB]
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
160 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
162 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C18D-16GVK
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
163 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
163 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws 16ГБ DDR5 SODIMM 5600МГц F5-5600S4040A16GX1-RS
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В..
170 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C19D-16GVRB
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В..
171 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-32000 F4-4000C18D-16GVK
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
176 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C16D-16GVKC
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В..
179 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9B1 256GB MZVL4256HBJD-00B07
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3300/1250 МБайт/с, случайный доступ: ..
185 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
185 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
190 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
190 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
193 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 250GB MZ-V8P250BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовател..
198 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z 2x8ГБ DDR4 3200 МГц F4-3200C16D-16GTZSK
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
199 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 256GB MZVL2256HCHQ-00B00
256 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
200 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
202 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z RGB 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GTZR
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
202 руб. 99 коп.