Уточнить поиск
265 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
353 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
646 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3EB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
678 руб. 99 коп.
Видеокарта PNY GeForce GTX 1660 Ti XLR8 6GB GDDR6 VCG1660T6DFPPB-O
NVIDIA GeForce GTX 1660 Ti, базовая частота 1500 МГц, макс. частота 1815 МГц, 1536sp, частота памяти..
737 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
737 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
778 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
825 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
847 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 091 руб. 99 коп.
Корпус Project X Viper
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
155 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Qdion QD500 500W
500 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
118 руб. 99 коп.
Корпус Project X Arapaho
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, без вентиляторов в комплекте, окно: закален..
125 руб. 99 коп.
Корпус Project X Rhino
Mini Tower, БП отсутствует, для плат micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: закале..
137 руб. 99 коп.
Блок питания Project X PF650D-X
650 Вт, активная PFC, КПД 87 %, 12 V 44 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
143 руб. 99 коп.
Блок питания Project X PF750D-X
750 Вт, активная PFC, КПД 87 %, 12 V 54 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
157 руб. 99 коп.
Корпус Project X Maverick
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, с контрол..
177 руб. 99 коп.
Блок питания FSP FSP350-50SAC
350 Вт, активная PFC, КПД 85 %, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 80 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin:..
184 руб. 99 коп.
Корпус Project X Uno
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: за..
199 руб. 99 коп.
Корпус Project X Siberia
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
199 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
214 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
277 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
290 руб. 99 коп.
Блок питания FSP FSP300-50FFB 300W
300 Вт, активная PFC, вентилятор: 40 мм..
293 руб. 99 коп.
Блок питания FSP FSP400-70PFL(SK)
400 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 80 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: не..
296 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
296 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
316 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
328 руб. 99 коп.





























