![Комплектующие Maxsun, Samsung, Indilinx, Infortrend Комплектующие Maxsun, Samsung, Indilinx, Infortrend](https://fk.by/image/cache/catalog/icons/computer-parts-80x80.png)
Уточнить поиск
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
52 руб. 49 коп.
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
599 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Материнская плата PCWINMAX B760-N
mATX, сокет Intel LGA1700, чипсет Intel B760, память 2xDDR4 до 4800 МГц, слоты: 1xPCIe x16 4.0, 1xP..
328 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 1TB MZ-V9P1T0CW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
453 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 2TB MZ-V9P2T0CW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450..
701 руб. 99 коп.
SSD Indilinx S325S 120GB IND-S325S120GX
120 ГБ, 2.5", SATA 3.0..
58 руб. 49 коп.
SSD Indilinx S325S 128GB IND-S325S128GX
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с..
61 руб. 69 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
62 руб. 29 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц IND-ID4N26SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
66 руб. 89 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
67 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
92 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
96 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц IND-ID5N48SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
101 руб. 99 коп.
SSD Indilinx 4XN80S 256GB IND-4XN80S256GX
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
106 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
108 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
138 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
140 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
141 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
158 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц IND-ID5N48SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
160 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
171 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9B1 256GB MZVL4256HBJD-00B07
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3300/1250 МБайт/с, случайный доступ: ..
193 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
195 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
197 руб. 99 коп.