
Уточнить поиск
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
92 руб. 79 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц IND-ID4N32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
92 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
93 руб. 9 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 2666 МГц IND-ID4P26SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
94 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
98 руб. 39 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц IND-ID5N48SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
99 руб. 69 коп.
SSD Indilinx 4XN80S 256GB IND-4XN80S256GX
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)..
108 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
113 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
117 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
123 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
124 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц IND-ID5N48SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
151 руб. 99 коп.
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
169 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
184 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
187 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9B1 256GB MZVL4256HBJD-00B07
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3300/1250 МБайт/с, случайный доступ: ..
187 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
191 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
193 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
201 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 250GB MZ-V7S250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
213 руб. 99 коп.
Оперативная память Indilinx 32ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP32X
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
217 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
233 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
254 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
287 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 250GB MZ-V8P250BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовател..
288 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
289 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
291 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM9A1 512GB MZVL2512HCJQ-00B00
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный..
302 руб. 99 коп.