
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
112 руб. 99 коп.
SSD AGI AI178 480GB AGI480G17AI178
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND..
113 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI UD238 8ГБ DDR5 5600 МГц AGI560008UD238
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
115 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Q-Dion QD550
550 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: д..
117 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI 8ГБ DDR5 4800 МГц AGI480008UD238
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
120 руб. 99 коп.
SSD AGI AI298 512GB AGI512GIMAI298
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 22..
130 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
131 руб. 99 коп.
Оперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-21300 [N26DDR401]
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
132 руб. 99 коп.
SSD AGI AI238 500GB AGI500GIMAI238
500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND..
134 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Блок питания FSP QD550 80+ 550W
550 Вт, активная PFC, 12 V 18 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
143 руб. 99 коп.
SSD AGI AI198R 512GB AGI512G80AI198R
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..
143 руб. 99 коп.
SSD AGI AI198 512GB AGI512G83AI198
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2200 МБа..
143 руб. 99 коп.
SSD AGI AI818 512GB AGI512G44AI818
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 50..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI 16ГБ DDR5 4800 МГц AGI480016UD238
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
152 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2K43DB1-CTDD0
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
154 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI UD238 16ГБ DDR5 5600 МГц AGI560016UD238
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
155 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
156 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI SD138 16ГБ DDR4 2666 МГц AGI266616SD138
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
167 руб. 99 коп.
Оперативная память AGI 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц AGI320016SD138
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
168 руб. 99 коп.
Блок питания FSP FSP350-50SAC
350 Вт, активная PFC, КПД 85 %, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 80 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin:..
170 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.