
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
45 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
214 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
310 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
332 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
371 руб. 99 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
23 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB3-PWMWH
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 2000 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
23 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120FRGB1-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1800 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
23 руб. 19 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB1-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
26 руб. 89 коп.
Вентилятор для корпуса GMNG GG-CF120ARGB2-PWMBK
высота 25 мм, макс. шум 28 дБ, вентилятор 120 мм, 1500 об/мин, PWM, подшипник гидродинамический (FDB..
26 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 89 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
65 руб. 89 коп.
Блок питания FSP Qdion QD500 500W
500 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
80 руб. 89 коп.
Блок питания FSP Qdion QD450 450W
450 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
81 руб. 19 коп.
Кулер для процессора GMNG GG-CPC220-ARGB2-WH
рассеивание до 220 Вт, высота 154 мм, вентилятор 120 мм, 1600 об/мин, PWM, подшипник гидродинамическ..
93 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Qdion QD400 400W
400 Вт, пассивная PFC, 12 V 15 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: ..
94 руб. 59 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
103 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
119 руб. 99 коп.
Блок питания FSP Q-Dion QD550
550 Вт, активная PFC, 12 V 17 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: д..
124 руб. 99 коп.
Кулер для процессора GMNG GG-CPC250-ARGB1-BK
рассеивание до 250 Вт, высота 152 мм, вентилятор 120 мм, 1600 об/мин, PWM, подшипник гидродинамическ..
131 руб. 99 коп.
Материнская плата Esonic B250-BTC-Gladiator
ATX, сокет Intel LGA1151, чипсет Intel B250, память 2xDDR4, слоты: 1xPCIe x16, 11xPCIe x1 ..
134 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Блок питания FSP QD550 80+ 550W
550 Вт, активная PFC, 12 V 18 А, кол-во линий 12 V: 2, вентилятор: 120 мм, ATX: 24 pin, CPU 4 pin: 1..
139 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
144 руб. 99 коп.