
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4PB0-CWM0D
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
55 руб. 89 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
71 руб. 69 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-8GISB
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
72 руб. 29 коп.
Оперативная память G.Skill Value 8GB DDR4 PC4-21300 F4-2666C19S-8GNT
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
73 руб. 89 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-8GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
73 руб. 89 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
112 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-24000 F4-3000C16S-16GISB
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
123 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
131 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
133 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
135 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
137 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GIS
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2K43DB1-CTDD0
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
154 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GIS
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
154 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
159 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-25600 [F4-3200C16D-16GVKB]
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 16GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16S-16GVK
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C19D-16GVRB
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Aegis 5 16GB DDR5 6000 МГц F5-6000J3636F16GX1-IS
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
161 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-28800 F4-3600C18D-16GVK
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
167 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GTZKW
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Ripjaws V 2x8GB DDR4 PC4-32000 F4-4000C18D-16GVK
2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память G.Skill Trident Z RGB 2x8GB DDR4 PC4-25600 F4-3200C16D-16GTZR
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
173 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
173 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
176 руб. 99 коп.