Уточнить поиск
Корпус Project X Siberia
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, с 4 вентиляторами в комплекте, окно: зак..
181 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
191 руб. 99 коп.
SSD Plextor M8VG 128GB PX-128M8VG
M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5..
194 руб. 99 коп.
Корпус Project X Uno
Mid Tower, БП отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/eATX/mini-ITX, в комплекте 4 вентилятора, окно: за..
197 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..
198 руб. 99 коп.
Блок питания A4Tech Bloody BD-PS550B
550 Вт, активная PFC, КПД 85 %, 12 V 42 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin..
213 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
246 руб. 99 коп.
Блок питания A4Tech Bloody BD-PS750G-MW
750 Вт, активная PFC, КПД 90 %, 12 V 62.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 p..
270 руб. 99 коп.
Блок питания A4Tech Bloody BD-PS750G-MR
750 Вт, активная PFC, КПД 90 %, 12 V 62.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 p..
270 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
275 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
278 руб. 99 коп.
Блок питания A4Tech Bloody BD-PS750G-M
750 Вт, активная PFC, КПД 90 %, 12 V 62.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 p..
279 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
285 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
300 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44AB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
320 руб. 99 коп.
Блок питания A4Tech Bloody BD-PS1000G
1 000 Вт, активная PFC, КПД 90 %, 12 V 83.5 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 140 мм, ATX: 20 + 4..
368 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 6400 МГц M435R1GB4PB1-CCP
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В..
437 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
439 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
485 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
486 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
501 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
504 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
536 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
546 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
549 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт..
633 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4DB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
655 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
655 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
655 руб. 99 коп.






























