Комплектующие Micro-Star, Micron, Samsung, 3Y Power, Hynix

Уточнить поиск

Сравнение товаров (0)


ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
189919
Оперативная память Micron 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц MTC4C10163S1SC48BA1

Оперативная память Micron 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц MTC4C10163S1SC48BA1

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

52 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
182899
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

52 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
194286
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N

Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

52 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
187426
SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU

SSD Samsung PM981 512GB MZVL4512HBLU

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..

599 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
130042
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)

Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)

1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..

41 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
83908
Оперативная память Micron 8GB DDR4 PC4-21300 MTA8ATF1G64AZ-2G6H1

Оперативная память Micron 8GB DDR4 PC4-21300 MTA8ATF1G64AZ-2G6H1

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..

62 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
162904
SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N

SSD Hynix BC711 2230 256GB HFM256GD3GX013N

M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND..

84 руб. 49 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
180325
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN

Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 HMA81GS6CJR8N-XN

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В..

85 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
185556
SSD Micron 2450 M.2 256GB MTFDKBA256TFK-1BC1AABGA

SSD Micron 2450 M.2 256GB MTFDKBA256TFK-1BC1AABGA

256 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4400/53..

91 руб. 79 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
192315
SSD Micron 2400 M.2 2280 512GB MTFDKBA512QFM

SSD Micron 2400 M.2 2280 512GB MTFDKBA512QFM

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 42..

128 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
197859
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..

136 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
190589
Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N

Оперативная память Hynix 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц HMCG78MEBSA092N

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SODIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В..

159 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
171521
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

178 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157806
SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW

SSD Samsung 980 250GB MZ-V8V250BW

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..

195 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157807
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..

318 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
110603
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW

SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..

330 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
154729
SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW

SSD Samsung 870 Evo 2TB MZ-77E2T0BW

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..

613 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
195607
SSD Samsung 990 Pro 4TB MZ-V9P4T0BW

SSD Samsung 990 Pro 4TB MZ-V9P4T0BW

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..

1 308 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
105405
Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9

Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В..

39 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
4360
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)

Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)

модуль памяти DDR3 DIMM, объем 2 ГБ, частота 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В..

46 руб. 89 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
178263
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G

Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..

60 руб. 19 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
166644
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..

95 руб. 19 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
134851
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]

Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UHN0]

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В..

97 руб. 69 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
199143
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..

104 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157127
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..

105 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
145611
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWE

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

111 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
202569
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE

Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..

118 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
169920
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..

137 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
179360
Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL

Оперативная память Samsung 8GB DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..

148 руб. 99 коп.

ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
83684
SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250

SSD Samsung 860 Evo 250GB MZ-N6E250

M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBp..

155 руб. 99 коп.

Показаны с 1 по 30 из 185 (7 страниц)