
Уточнить поиск
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
49 руб. 49 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
49 руб. 49 коп.
Оперативная память Samsung DDR2 PC2-6400 1 Гб (M378T2863EHS-CF7)
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
41 руб. 89 коп.
Блок питания Super Power P4-500 500W
500 Вт, нет PFC, 12 V 30 А, кол-во линий 12 V: 1, вентилятор: 120 мм, ATX: 20 + 4 pin, CPU 4 pin: 1,..
52 руб. 29 коп.
SSD Samsung 850 Evo 250GB MZ-75E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MB..
92 руб. 9 коп.
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4 PC4-17000 [CMK16GX4M2A2133C13]
2 модуля, частота 2133 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15-28, напряжение 1.2 В..
104 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
178 руб. 99 коп.
Жесткий диск Toshiba S300 1TB HHDWV110UZSVA
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5700 об/мин, буфер 64 МБ..
197 руб. 99 коп.
Жесткий диск Toshiba DT01ABA V 1TB DT01ABA100V
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5700 об/мин, буфер 32 МБ, время доступа 5.7 мс..
203 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
230 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo 1TB MZ-V9E1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, ..
301 руб. 99 коп.
SSD Samsung 970 Evo Plus 1TB MZ-V7S1T0BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
352 руб. 99 коп.
Корпус Corsair Crystal 460X [CC-9011099-WW]
Midi Tower, блок питания отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, 2 вентилятора, 2xUSB 3.0, цве..
365 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 1TB MZ-V8P1T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
400 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
404 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 Pro 2TB MZ-V8P2T0BW
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
585 руб. 99 коп.
Корпус Corsair 7000D Airflow CC-9011219-WW
Full Tower, блок питания отсутствует, для плат ATX/micro-ATX/mini-ITX, 3 вентилятора с контроллером ..
963 руб. 99 коп.
SSD Indilinx S325S 120GB IND-S325S120GX
120 ГБ, 2.5", SATA 3.0..
48 руб. 59 коп.
Оперативная память Indilinx 4ГБ DDR4 2666 МГц IND-ID4P26SP04X
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
48 руб. 59 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
60 руб. 9 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
60 руб. 39 коп.
SSD Indilinx S325S 128GB IND-S325S128GX
128 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/400 МБайт/с..
63 руб. 39 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц IND-ID4N26SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
65 руб. 69 коп.
Оперативная память Indilinx 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц IND-ID4N32SP08X
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
69 руб. 29 коп.
SSD HP S650 240GB 345M8AA
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/450 MBps, случайный доступ: 400..
77 руб. 89 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц IND-ID4N32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
92 руб. 79 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 3200 МГц IND-ID4P32SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В..
92 руб. 79 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
93 руб. 9 коп.
Оперативная память Indilinx 16ГБ DDR4 2666 МГц IND-ID4P26SP16X
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
94 руб. 9 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
98 руб. 39 коп.