Уточнить поиск
265 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2J3
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
286 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц MTC4C10163S1SC48BA1
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
294 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 250GB MZ-77E250BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
320 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
353 руб. 99 коп.
SSD Micron 2500 M.2 2242 512GB MTFDKCD512QGN-1BN1AABLA
512 ГБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4..
353 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
Оперативная память SKhynix 8ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц HMCG66AGBSA092N
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
368 руб. 99 коп.
SSD Samsung PM883 480GB MZ7LH480HAHQ
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный досту..
646 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3EB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
678 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16GB DDR5 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
737 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
778 руб. 99 коп.
SSD Samsung 980 500GB MZ-V8V500BW
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
825 руб. 99 коп.
SSD Samsung 870 Evo 1TB MZ-77E1T0BW
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MB..
847 руб. 99 коп.
SSD Samsung 990 Evo Plus 2TB MZ-V9S2T0BW
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт..
1 091 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 32ГБ DDR4 3200 МГц MTA36ASF4G72PZ-3G2
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
1 681 руб. 99 коп.
Набор вентиляторов Spire Magic Lantern X2-12025S1L6-RGB-LED
набор вентиляторов, шум 23 дБ, вентилятор 120 мм, 1200 об/мин..
86 руб. 79 коп.
Корпус Winard 5822
Mini Tower, блок питания отсутствует, для плат micro-ATX, 0 вентиляторов, 2xUSB 2.0, цвет черный/сер..
112 руб. 99 коп.
Корпус Winard 1570 300W
Mini Tower, блок питания 300 Вт, для плат micro-ATX/mini-DTX/mini-ITX, 2xUSB 2.0, цвет черный..
130 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
153 руб. 99 коп.
Оперативная память Kingspec 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KS3200D4N12008G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
238 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
261 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1G44BB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
262 руб. 99 коп.
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PDZ-3G2
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
271 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
275 руб. 99 коп.
SSD Micron 5300 Pro 240GB MTFDDAV240TDS-1AW1ZABYY
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 MBps, случайный доступ: 8500..
284 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
309 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В..
338 руб. 99 коп.
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 3200 МГц M378A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
369 руб. 99 коп.
SSD Micron 5300 Pro 240GB MTFDDAK240TDS-1AW1ZABYY
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/310 MBps, случайный доступ: 670..
402 руб. 99 коп.





























