Уточнить поиск
Сравнение товаров (0)
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
194286
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
182899
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
187426
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
130042
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
138532
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
180627
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
197859
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
122142
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
153477
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
171521
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157806
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
161916
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 400..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157808
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последователь..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
122234
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
157807
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, по..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
147657
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
110603
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовате..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
163045
2 модуля, частота 4400 МГц, CL 18T, тайминги 18-26-26-46, напряжение 1.45 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
150715
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовател..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
151813
2 модуля, частота 3466 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
195607
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, п..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
59388
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
35190
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
2053
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4 Гб, частота 1600 МГц, напряжение питания 1.6 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
48934
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
30183
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
39661
частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
48840
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
54443
одноканальный (1 модуль), частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В..
ПРОДАЕМ
В РАССРОЧКУ!
Код товара
2054
модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4 Гб, частота 1333 МГц, напряжение питания 1.5 В..
Показаны с 1 по 30 из 445 (15 страниц)